本课题为利用硅集成电路工艺，在面掺杂浓度10（23）cm(-3)的n型硅片上生长MIS隧道结，研究其发光特性。SiO2两侧金属膜加电压（约5V），隧穿电子在结界面激发起等离极化激元（SPP），作动量补偿后，转换为光子辐射。测得发射光谱分布在449nm到740nm之间，峰值462.4,618.4,721.2nm，相对强度6：12：21，效率2.77×10（-4%）。其中462.4nm的是SiO2/n-Si界面的SPP模，它所对应的电子浓度高于掺杂值。按发光测得I-V曲线上的负阻现象，可用动态电荷积累假设来解释。分析了双势垒隧道结，观察到负阻、谱蓝移、效率提高等现象。按SPP→光的转换可逆，提出了双光纤 MIS的增强光输出结构。对粗糙度作了统计分析并对它影响结的发光关系用格林函数作了理论处理。 2100433B

本项目紧密围绕研究目标，在隧道结发光的角向分布、偏振和光谱特征以及分子发光的跃迁偶极特性的表征方面，开展了一系列的工作，取得了若干成果：（1）在仪器研制方面，研制了与超高真空低温STM联用的后焦面光子探测系统，实现了对隧道结中光子发射的角向分布特性的表征；研制了与超高真空低温STM联用的HBT系统，实现了对隧道结中光子发射统计特性与偏振特性的表征；发展出了具有亚纳米空间分辨的光致荧光成像技术，实现了对分子的跃迁偶极取向的实空间表征；（2）在科学进展方面，研究了卟啉分子J型聚合体的电致发光特性，发现其电致发光特征受到分子间偶极-偶极相互作用影响，并讨论了在不同隧穿电流下卟啉J-型聚集体与纳腔等离激元的相互作用特性；研究了分子发光与偶极-偶极作用的关系，利用发展出的亚纳米空间分辨的荧光成像技术，实现了对分子间相干偶极相互作用的实空间直接观察，开辟了研究分子间相互作用和能量转移的新途径，同时也为光合作用中分子捕光结构的优化和分子纠缠体系及其光源的调控提供了新的思路；设计并通过微纳加工制备了具有中心缺陷结构的二维等离激元光子晶体纳米阵列，并将其作为衬底引入到STM中，并研究其缺陷模式形成的光学共振微腔对针尖诱导的纳腔等离激元的增强效应和模式调控作用。 到目前为止，已在SCI期刊上发表研究论文5 篇，其中有较重要影响的论文包括Nature 1篇，Applied Physics Letters 1篇，Nanoscale 1篇；项目负责人在2016年获得基金委优秀青年基金支持，与合作者一起培养博士研究生3 名。

分子尺度上的光电器件集成是未来信息能源技术中的一个重要发展方向，其科学基础在于纳米尺度下对光电相互作用与转化过程的认识和调控。本项目将利用高分辨扫描隧道显微镜与高灵敏光学检测的联用技术，以含共轭π电子体系体系的有机多功能光电分子为研究对象，利用隧穿电子的高度局域化激发，构筑并利用“倒置”光子收集通道来对隧道结中单分子电致发光的性质、尤其是光子发射的角向分布特征进行高分辨的表征，研究隧道结中分子发光的跃迁偶极取向，探索通过改变隧道结等离激元模式来调控单分子发光的光子辐射方向与偏振方向的方法。研究结果不仅有助于理解分子在纳米环境中的光电行为，而且有助于探索隧道结中的电子、激子、声子、表面等离激元和光子等之间的相互耦合和转化过程，为今后设计和优化基于分子光源的有源等离激元器件提供科学基础与依据。

继续摸索中间绝缘层的生长工艺，并利用各种微电子加工技术，制备出磁场电阻高、结电阻低、重复率好的优质单势垒磁隧道结材料。深入研究磁隧道结的偏压特性，运用全量子力学模型，结合磁振子、声子的激发及界面能级结构的变化，对隧道结磁电阻随偏压变化的现象作出理论诠释。制备双势垒磁隧道结或选择自旋极化率符号相反的铁磁电极材料，研究反常隧道磁电阻现象及其随外加偏压的变化。 2100433B