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对于一个通孔层的设计,随着通孔间最小间距的不断减小,传统光刻单层曝光的分辨率不能实现,需要光刻分辨率增强技术。
传统光刻 DP/TP是一种方法,但这样增加了制造成本。DSA可以将小于光刻分辨距离的两个通孔分在一个group中,从而节省一层mask。
但是当group的数量不断增加,由于光刻以及DSA本身的限制条件,单层mask结合DSA已经不能满足分辨率的要求,所以DSA MP混合光刻可以满足更高的分辨率要求。在这种混合光刻中,需要将通孔进行分组(grouping),再将存在冲突的分组(templates)分配到不同的掩模(mask),以减小冲突,这种问题就是DSA MP混合光刻中的模版与掩模分配(TMA)问题。
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塑料模板与木模板对比
“森塑雨”建筑用塑料模板与木模板的综合对比 一:品质对比 “森塑雨”塑料模板刚性塑性结合、高强度、重量轻、抗冲击强 度大,可锯可刨可钉钉, 耐寒耐高温, 环境温度在 -10℃~ 75℃范围 内均可正常使用,按厂家的施工要求保证周转使用 50 次以上,如用 不到 50次厂家保证免费包退换。 用过的废料厂家按 3:1的比例免费 换新板(往返运费自理)。而木模板只能用 3-5 次,板材品质的差距 巨大。 二:施工对比 “森塑雨” 塑料模板只需切割一次, 木模板使用 3-5 次就要换新 板从新切割,相比省工、省料、省时、省钱。用“森塑雨”塑料模板 做出的混凝土强度大、质量好,模板无须刷脱模剂(柴油、机油)或 铺塑料膜,模板和混凝土不粘黏,脱模容易,墙面外观漂亮,基本上 能达到清水混凝土的效果,墙面基本上不用批挡,可直接刮腻子,省 工、省时、省钱。而木模板都不具备这些优势。 三:价格对比 “森塑雨”
建筑铝模板与木模板的对比
建筑铝模板与木模板的对比 一、木模板成本核算 1、 质量好的木模板 20 元 /平方米,最多可使用 10 次,每平方米 2.0元(模板款)。 2、 每平方米模板用 5米方料,每米 8元(4*7cm),最多用 20次, 合 2元 /平方米,加 1 元损耗,每平方米 3元(方料款) 3、 每平方米模板用 4米钢管 4个卡扣,钢管每天租金 0.1元、卡 扣每天租金 0.05元。按 6天 /层计算,每平方米模板 3.6元(钢管、 卡扣款) 4、 穿墙丝 1元,铁丝、铁钉、脱模剂合每平方米 3.5元 5、 人工费每平方米模板 26元 墙体每平方米合 38.6元。屋顶每平方米多 7元,屋顶每平方米 45.6 元,综合平均每平方米 41 元(含人工费)。另加 1 元损耗,共计 每平方米 42元。(纯木模材料费 16元 /平方米)。 二、按 1500平方米 /层,30层楼盘计算(展开面积) 1、木模: 4
旦晶圆片空白基板完成后,就必须做好掩模 。一个典型的薄膜掩模制造的附加程序为:一层薄的钽/金电镀基底淀积在做好的空白基板上,而且一层厚的模板胶被旋涂覆并烘烤。薄的铬层被淀积在模板胶上,再涂上光刻胶。
日本凸版印刷公司将在2018年度内开始在中国生产最尖端半导体的掩模板(光掩模,Photomask)。伴随半导体厂商相继在中国新建工厂,中国在全球市场上存在感日益增强。凸版印刷计划通过在中国当地生产最尖端产品来缩短交货期,2020年之前把在华市场份额由目前的5成提高到7成。
掩模板是将半导体电路印到硅晶圆上时使用的电路图案原板。电路线宽越窄,半导体性能越高,但迄今为止凸版印刷在上海生产的掩模板最多只能印上线宽为90纳米的电路。
凸版印刷最早将在2018年春季开始生产支持65纳米线宽的掩模板,2018年度内开始生产支持14纳米线宽的产品。不仅将把日本的设备引入中国,还将进行新的设备投资。投资额可能会达到数十亿日元。
凸版印刷此前从日本或台湾的生产基地向大陆出口最新的掩模板。如果在大陆当地生产,就能省去通关手续,可使交货期缩短3天左右。
包括大型半导体代工企业中芯国际集成电路制造(SMIC)的新工厂在内,中国未来几年内预计将有十余家半导体工厂开工生产。据国际半导体设备与材料协会(SEMI)介绍,2017年中国的掩模板需求占全球的3%。有观点认为,2020年这一数字将提高至20%。
在传统商业印刷业务逐渐缩小的背景下,凸版印刷强化了收益良好的掩模板业务。计划在中国生产最尖端产品,把中国在掩模板业务上的销售占比由目前的1成提高至超过两成,同时将全球市场份额由3成多提高到4成。
在其他企业方面,大日本印刷公司也加入掩模板竞争,计划今后5年内向中国市场投资180亿日元。将在福建建设工厂,2019年春季前后开始量产。
来源:日经
在平面晶体管和集成电路的制造过程中,要进行多次光刻。为此,必须制备一组具有特定几何图形的光刻掩模。制版的任务就是根据晶体管和集成电路参数所要求的几何图形,按照选定的方法,制备出生产上所要求的尺寸和精度的掩模图案,并以一定的间距和布局,将图案重复排列于掩模基片上,进而复制批量生产用版,供光刻工艺曝光之用。