它包含两层含义。一层含义是晶界本身是个畸变区，有内应力作用在晶界面及其附近区域。例如。由位错列构成的小角度晶界的应力场可用位错理论算出，它在晶界面上有极大值，并急剧下降，故是一种短程应力。另一层含义是指作用在晶界面上的外应力或其它内应力源的内应力(如位错塞积在晶界)。高温蠕变时，作用在晶界面上的切应力使晶界产生滑动从而导致蠕变塑性变形。作用在晶界面上的正应力能使原子定向扩散流动，从而产生沿晶界扩散的蠕变 。

在晶界面上，原子排列从一个取向过渡到另一个取向，故晶界处原子排列处于过渡状态。 晶粒与晶粒之间的接触界面叫做晶界。无机非金属材料是由微细粉料烧结而成的。在烧结时，众多的的微细颗粒形成大量的结晶中心。当它们发育成晶粒并逐渐长大到相遇时就形成晶界 。

晶界应力是指作用于晶粒边界上的应力。

晶界（grain boundary ）是结构相同而取向不同晶粒之间的界面。

二维点阵中晶界位置可用两个晶粒的位向差θ和晶界相对于一个点阵某一平面的夹角φ来确定。根据相邻晶粒之间倾斜晶界位向差θ角的大小不同可将晶界分为两类：

1.小角度晶界(small-angle grain boundary)——相邻晶粒的位向差小于10°的晶界；亚晶界均属小角度晶界，一般小于2°；

2.大角度晶界(large-angle grain boundary)——相邻晶粒的位向差大于10°的晶界，多晶体中90%以上的晶界属于此类。

因而无机非金属材料是由形状不规则和取向不同的晶粒构成的多晶体，多晶体的性质不仅由晶粒内部结构和它们的缺陷结构所决定，而且还与晶界结构、数量等因素有关。尤其在高技术领域内，要求材料具有细晶交织的多晶结构以提高机电性能。此时晶界在材料中所起的作用就更为突出。当多晶体中晶粒平均尺寸为1um界占晶体总体积的1/2。显然在细晶材料中，晶界对材料的机、电、热、光等性质都有不可忽视作用。 凡结构相同而取向不同的晶体相互接触，其接触界面称为晶界。如果相邻晶粒不仅位向不同，而且结构、组成也不相同，即它们代表不同的两个相测其间界称为相界面或界面。由于原子（离子）间结合键的变化及结构畸变，相界面同样具有特殊的界面能，可以与晶界类同看待。

陶瓷主要由晶粒构成，且因陶瓷中的晶粒取向是随机的，不同的晶粒取向各异，故在晶粒与晶粒之间形成大量的晶界。相邻晶粒由于取向度的差异造成原子间距的不同， 在晶界处结合时，形成晶格畸变或界面位错而在晶界处造成应力。同时，由于晶体的各向异性，在陶瓷烧成后的冷却过程中，晶界上会出现很大的晶界热应力，其晶界热应力的大小与晶粒大小成正比。晶界应力的存在将使晶界处出现微裂纹，从而大大降低陶瓷的断裂强度。因此，陶瓷中一般要求尽可能小的晶粒尺寸。