选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
徐州兴圣太阳能电子设备有限公司报价3.6元 宿迁市兰特恩光电科技有限公司报价700元 昆山晶昌明电子有限公司报价550元 深圳市天福光科技有限公司报价4.5元 以上价格来自网络,仅供参考。
光伏组件是由光伏电池片组装拼接而成,电池片是基本组成单元。最终是用光伏组件安装在屋顶上进行发电,所以他们是从属关系。
光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降,称为Staebler-Wrki效应(D.L.Staebler和C.R.Wrki最早发现的)...
非晶硅太阳能电池
实用标准文案 精彩文档 双结非晶硅太阳电池能组件系列: 双结非晶硅太阳电池组件在标准测试条件 (STC)下,系列额定功率稳定值为: 32W,34W, 36W,38W,和 40W。 不同规格的产品有不同的电性能。并且可根据需求制作特殊规格的要求,做成不同规格、不同性能、不同 要求、不同尺寸的双结非晶硅太阳电池组件。 双结非晶硅太阳能电池组件的参数: 在标准测量条件 (STC)下,双结非晶硅太阳电池典型组件参数如下: 型号 Pm (W) Voc (V) Isc (A) Vmpp(V) 尺寸 (mm) 重量 32(42)H/G643×1253 32±1 57 1.0 42 643×1253×37 14.7kg 34(43)H/G643×1253 34±1 58 1.0 43 643×1253×37 14.7kg 36(44)H/G643×1253 36±1 59 1.0 44 64
拓日新能 非晶硅太阳能电池龙头
拓日新能(002218)主营业务为非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池及其应用产品的研发、生产和销售,公司产品按大类可以分为太阳能电池芯片及组件类、太阳能电池应用产品及供电系统类两大类,其中太阳能电池芯片及组件类根据不同的制造工艺路线可以进一步细分为非晶硅太阳能电池芯片及组件和晶体硅太阳能电池芯片及组件。
在硅系列电池中,非晶硅(a-Si)对阳光的吸收系数最高,活性层只需要1 μm 厚,材料的需求大大减少。但是也有不少缺点:随光照时间增加效率反而衰退;禁带宽度为1.7 eV,对长波区域不敏感。研究证实,叠层太阳能电池可有效提高非晶硅的稳定性,使室外阳光下照射1 年的效率衰退率从单结的25%~35%下降到20%以下。下面将介绍a-Si/poly-Si,a-Si/μc-Si,a-Si/CIS 3 种主要的非晶硅叠层太阳能电池。多晶硅(poly-Si)的禁带宽度(1.12 eV)比非晶硅小得多,作为a-Si/poly-Si 叠层太阳能电池底电池的光吸收体, 它能有效吸收从顶层电池透射的能量小于非晶硅禁带宽度的太阳光辐射光谱,提高叠层电池的能量转换效率。Takakura理论上计算出a-Si/poly-Si 叠层太阳能电池有超过30%的效率, 已制备出13.3%能量转换效率的a-Si/poly-Si 叠层太阳能电池,四端输出转换效率达21%,未发现电池性能随光照而衰退。微晶硅(μc-Si:H)有比非晶硅更高的光吸收系数,尤其近红外高出2~3 数量级,光照衰退效应引起的薄膜性能衰退远比非晶硅小,而经氧化微晶硅的载流子迁移率可增大20 倍,激起人们研制全微晶硅P-i-N 型太阳能电池的热情。目前单结微晶硅P-i-N 太阳能电池能量转换效率已达7.8%,而且其光伏特性特别适合用来制造a-Si/μc-Si 叠层电池的底电池, 国外报道已获得9.4%的电池能量转换效率,且长期光照电池性能衰退极小。林鸿生等通过数值求解Poisson 方程, 对经高强度光辐射过的a-Si/μc-Si 叠层电池进行了数值模拟分析,表明a-Si/μc-Si 叠层电池的顶层电池a-Si 未发生光致衰退效应,这种结构的电池具有较高的光稳定性。薛俊明等采用射频等离子增强化学气相沉积法制得a-Si/μc-Si 叠层电池,效率达到9.83%,高于国外水平。
CuInSe2是一种光吸收系数很高的半导体材料,对能量稍大于其禁带宽度(1.04 eV)的光子,它的吸收系数在105 cm-1数量级上。CuInSe2基多晶薄膜太阳能电池已得到了广泛的研究,它也是一种制造a-Si/CIS 叠层太阳能电池底电池最理想的光吸收体材料之一。Takakura从理论上算出a-Si/CIS 叠层太阳能电池的能量转换效率能超过20%,已制备出13%稳定效率的a-Si/CIS 叠层太阳能电池,而四端输出达14.6%,没有发现电池性能随光照而衰退 。
非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池。
按照材料的不同,当前硅太阳能电池可分为三类:单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。