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其制法是以工业级二氯氢硅为原料,精馏提纯。 二氯氢硅在半导体芯片和}C他元件的制造中用作化学气相淀积 的硅源- 2100433B
电子级三氯氢硅electronic grade trici}lorcx}ilane SiHC13无 色可燃,腐蚀性液体,有令人窒息的臭味。在湿空气中迅速水解 生成氯化氢:沸点31.9':.熔点一126.5 C:。液体密度134UkgI 耐:在空气「},的可燃限b.9%一7U }'u。闪点一28 . U}.。TI}V按 HCl)5x 1U一“。
三氯氢硅极限: 下限:6.9% 上限:70% 三氯氢硅临界量:10吨(重大危险源)
硅28氯36.5氢3加起来即可,
三氯氢硅SiHCl3 1.别名•英文名 硅氯仿、硅仿、三氯硅烷;Trichlorosilane、Silicochloroform. 2.用途 单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相...
三氯氢硅废气处理系统改造技术
通过更换尾气吸收塔,增加塔高,提高循环泵的功率、扬程、流量,增加喷头的数量,增加中和池等,改善了尾气吸收塔堵塞的状况,并解决了由此带来的安全和环境问题。
15kt/a三氯氢硅设备安装工程招标公告
2009年12月3日,重庆三阳化工公司发布15kt/a三氯氢硅设备安装工程招标公告。招标范围为三氯氢硅界区内所有工艺装置:氯化氢合成装置、主厂房装置、空压制氮装置、罐区、尾气变压吸附、淋洗中和、公用工程及消防、安全环保设施等装置的设备、工艺管道阀门、电气、仪表的安装、钢结构的制作、工艺管道除锈防腐等工程。工程总投资约450万元。建设资金来源为国有投资(自有及银行贷款);
硅氯仿、硅仿、三氯硅烷;Trichlorosilane、Silicochloroform.
多晶硅、单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。
⑴在高温下Si和HCl反应
⑵用氢还原四氯化硅(采用含铝化合物的催化剂)
⑶用氢、硅粉、四氯化硅反应。
分子量:135.43
熔点(101.325kPa):-134℃;沸点(101.325kPa):31.8℃;液体密度(0℃):1350kg/m3;相对密度(气体,空气=1):4.7;蒸气压(-16.4℃):13.3kPa;(14.5℃):53.3kPa;燃点:-14℃;自燃点:104.4℃;闪点:-27.8℃;爆炸极限:6.9~70%;毒性级别:3;易燃性级别:4;易爆性级别:2
化学性质
三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性氯化氢气味易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧,在-18℃以下也有着火的危险,遇明火则强烈燃烧,燃烧时发出红色火焰和白色烟,生成SiO2.HCl和Cl2:
SiHCl3+O2→SiO2+HCl+Cl2;三氯硅烷的蒸气能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气,受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好,在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾( HCl),还生成Cl2和Si。
遇潮气时发烟,与水激烈反应:2SiHCl3+3H2O-→ (HSiO)2O+6HCl
在碱液中分解放出氢气:SiHCl3+3NaOH+H2O-→Si (OH)4+3NaCl+H2
与氧化性物质接触时产生爆炸性反应。与乙炔、烃等碳氢化合物反应产生有机氯硅烷:
SiHCl3+CH≡CH一→CH2CHSiCl3 、SiHCl3+CH2=CH2-→CH3CH2SiCl3
在氢化铝锂、氢化硼锂存在条件下,SiHCl3可被还原为硅烷。容器中的液态SiHCl3当容器受到强烈撞击时会着火。可溶解于苯、醚等。无水状态下三氯硅烷对铁和不锈钢不腐蚀,但是在有水分存在时腐蚀大部分金属。
在高温条件下,三氯氢硅能被氢气还原生成硅 SiHCl3 +H2==1357K=Si +3HCl
三氯氢硅生产的火灾危险性分析
⒈电解食盐水的火灾危险性
⑴电解时有强大的电流通过,如果电气的绝缘不良极易产生电火花,电解车间经常有氢气泄漏,遇到电火花或其它明火会发生燃烧或爆炸。
⑵如氢气与氯气相混,达到爆炸极限范围,遇光也会发生爆炸。
⒉三氯氢硅合成的火灾危险性
SiHCl3的合成是在280℃~300℃的温度下进行的,已经超过了SiHCl3的自燃温度175℃,在合成过程中如果SiHCl3发生泄漏,或者空气进入反应器,极易引起燃烧、爆炸或中毒事故。并且SiHCl3有毒、遇水燃烧,给火灾扑救带来一定的困难。
⒊三氯氢硅贮罐的火灾危险性
SiHCl3的贮罐如果发生泄漏,其危险性远远大于工艺管道泄漏的危险性,因为其贮量大,一旦发生泄漏,如果不及时堵漏,影响会不断扩大。贮罐区因为冷却用水的需要,经常有水存在,泄漏的SiHCl3遇水发生反应,产生有毒的HCl,向四周扩散,给抢险救援工作带来困难。
据立木信息咨询发布的《中国电子级三氯氢硅市场调研与投资前景报告(2018版)》显示:随着我国经济结构调整,计算机、智能手机、通信等产业规模的持续增长,大大拉动了对上游集成电路的需求。近几年我国从国家信息安全战略层面不断加大对集成电路产业的政策支持力度,国内近几年集成电路产业持续增长。近五年的复合增长率达到 22.14%。2014年产值已经达到3000亿。据估算2017年国内半导体电子气体的市场规模超过 20亿元人民币。
电子级三氯氢硅作为微电子、光电子元件制造过程中不可或缺的重要材料,符合2016年国家商务部发布《鼓励进口技术和产品目录》,其中明确“ 半导体、光电子元件、新型电子元件等电子产品用材料制造”为国家鼓励发展的重点行业,行业序号C30。
电子级三氯氢硅作为硅源,外延生长速度快,使用安全,是较为通用的硅源。
当前,世界上只有美国、日本、德国等少数国家能够大规模生产电子级三氯氢硅,最大的生产商是德国的Wacher公司和美国的DowCorning公司。中国在20世纪90年代初建成 一定规模的三氯氢硅生产装置,然而目前我国的三氯氢硅产品纯度只能满足中低端用户。
电子级三氯氢硅国产价格约为每吨5-7.5万人民币,进口产品到终端客户价格约为每 吨15-20万元。