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薄膜刻蚀。 2100433B
可刻蚀各种尺寸形状的样品, 最大面积达1000 cm2。
CT416 、 CT312都是市场常见的等离子切割、钨极氩弧焊、焊条手弧焊三用机。等离子弧切割是利用高温等离子电弧的热量使工件切口处的金属局部熔化(和蒸发),并借高速等离子的动量排除熔融金属以形成切口...
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
常压等离子体中“常压”指的是大气压,与低气压等离子体的"低气压"相对应。 低温等离子体中的“低温”具体指的是等离子体中的电子温度低。根据电子温度不同,可以将等离子体分为两大类:高温等离子体,低温等离...
TEGAL421等离子刻蚀机射频电源的维修及调整
TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的维 修及调整 TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的电路图如下: 各部分电路的作用, DC Power Supply Board 板是一块电源板提供射频源 工作所需的各路电源,包括电子管工作的高低压。 OSICLACTOR Board 板提供 射频源的激励信号, Q1是震荡管,Q4是推动管,Q3,Q2组成脉宽功率调节电路。 V1和 V2是两个输出电子管,提供所需的射频功率。其中 Lv 是低压变压器,机 器一通电,该变压器就被通电。而 BV 是高压变压器,只有在需要射频输出时才 被通电。 Power Coupler 是入射功率和反射功率检测模块。主机背面的电位器 R5 和 R6 用于矫正入射和反射功率的偏差。 Test Port 测试端口用于检测射频电 源的工作参数。 射频电源的调整 射频电源调整的步骤如下: 1. 关闭交流电源。 2. 移除射频电源
离子束减薄对金属玻璃电镜样品的非均匀刻蚀
本文利用透射电子显微镜和原子力显微镜研究了金属玻璃样品在离子束作用后形成的厚度起伏特征。采用高分辨透射电镜和能谱分析结果表明金属玻璃样品中没有发生明显的结构和成分的变化。利用离子束与样品表面作用过程的粗化机理解释了出现这种特征厚度起伏的原因。这种厚度起伏是由材料本身性质和实验条件共同决定的。通过研究离子束与样品的作用方式,有利于确定合适的透射电镜样品制备方法,有助于利用透射电镜研究非晶样品的微观结构。
1. 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量,如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗,等等,不易测量,
虚拟测量(Virtual Metrology)
光谱测量(Optical emission spectroscopy)
等离子阻抗监控(Plasma impedance monitoring)
终端探测(end-point detection)
远程耦合传感(remote-coupled sensing)
run-to-run 控制(R2R)
模型预测控制(MPC)
人工神经网络控制
1. 确认万用表工作正常,量程置于200mV。
2.冷探针连接电压表的正电极,热探针与电压表的负极相连。
3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点,电压表显示这两点间的电压为正值,说明导电类型为P 型,刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4.如果经过检验,任何一个边沿没有刻蚀合格,则这一批硅片需要重新装片,进行刻蚀。
1、 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3、传动滚轴易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。