《催化剂制备及应用技术》系统地介绍了催化剂的一般知识，催化剂开发--从实验室至工业规模，催化剂制备的一般特点及质量控制，固体催化剂的制备方法，催化剂成型，催化剂干燥技术，催化剂焙烧，催化剂还原及硫化。

《催化剂制备及应用技术》可供炼油、石油化工、环保及化工行业的工程技术人员、生产管理人员、市场营销人员，以及高等院校从事催化剂研究与教学工作的人员参考。

主要有两种方法:直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法);

1)直拉法

其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。

2)区熔法

区熔法可用于制备单晶和提纯材料,还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶。区熔单晶炉主要包括:双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴(夹多晶棒)、下轴(安放籽晶)、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。

可以看出，制备单晶硅的工艺要求非常苛刻，包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场，以及缺陷预测。一般来说，前期的设计、优化和预测并不能完全依靠高成本的实验来实现。可以通过专业的计算机数值仿真工具来实现晶体生长数值模拟，如FEMAG的FEMAG/CZ模块能能对直拉法(Cz法)进行模拟、FEMAG/FZ模块能对区熔法(FZ法)模拟，还有CGSIM等，以达到对单晶硅制备工艺的预测。