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淀池斜板填料

蜂窝斜管填料主要用于各种沉淀和除砂作用。是近十年来在给排水工程中采用最广泛而且成为一项水处理装置。

淀池斜板填料基本信息

淀池斜板填料产品特点

1. 湿周大,水力半径小。

2. 层流状态好,颗粒沉降不受絮流干扰。

3. 当斜管管长为1米时,有效负荷按3-5吨/米2·时设计。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范围内,出水水质最佳。

4. 在取水口处采用蜂窝斜管,管长2.0~3.0米时,可在50-100公斤/米3泥砂含量的高浊度中安全运行处理。

5. 采用斜管沉淀池,其处理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脉冲澄清池的2-3倍。

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淀池斜板填料造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

斜板填料

  • Ф80,PP
  • 13%
  • 广州美琳环保科技有限公司
  • 2025-07-21
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斜板填料

  • Ф80,PP
  • 13%
  • 广州市欧田环保科技有限公司
  • 2025-07-21
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弹性填料

  • 1.项目名称:弹性填料2.项目内容:组合填料:Ф150
  • 德泽万礼
  • 13%
  • 安徽德泽万礼新材料科技有限公司
  • 2025-07-21
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空心球袋式填料

  • 污水处理球型填料Ф80mm
  • 盈朗
  • 13%
  • 广州盈朗环保科技有限公司
  • 2025-07-21
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空心球袋式填料

  • 污水处理填料每袋容积70L
  • 鹏锦
  • 13%
  • 广州鹏锦环保科技有限公司
  • 2025-07-21
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塑性填料

  • t
  • 广东2020年全年信息价
  • 水利工程
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塑性填料

  • t
  • 广东2024年全年信息价
  • 水利工程
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塑性填料

  • t
  • 广东2023年全年信息价
  • 水利工程
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塑性填料

  • t
  • 广东2022年全年信息价
  • 水利工程
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塑性填料

  • t
  • 广东2021年全年信息价
  • 水利工程
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斜板填料

  • 1.名称:斜板填料;2.规格、型号: Ф80;3.安装方式:斜80°放置于沉淀池内;
  • 2
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-07-16
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斜板填料

  • 厚度:0.6mm,孔径Ф80,高度1-2m
  • 1
  • 1
  • 宜兴
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2021-04-06
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斜板填料

  • 孔径80mm,斜长1m
  • 200
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2024-10-23
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斜板填料

  • SYS-XB-10 H=1.0m 间距10cm 厚度3mm PE
  • 66
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2019-09-04
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斜板填料

  • 蜂窝斜板,Ф80×1m,含支架
  • 50
  • 3
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2023-06-15
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淀池斜板填料产品规格

Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm

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淀池斜板填料产品简介

淀池斜板填料材质有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃钢(FRP)三种。组装形式的斜管和直管两种形式。它适用范围广,处理效果高,占地面积小等优点。适用于进水口除砂,一般工业和生活给水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾张浓缩等处理,即适用于新建工程,又适用于现有旧池的改造,均能取得良好的经济效益。

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淀池斜板填料常见问题

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斜板沉淀池设计 斜板沉淀池设计

斜板沉淀池设计

格式:pdf

大小:347KB

页数: 14页

. . 环保设备课程作业 作业 1: 斜板沉淀池设计计算 采用异向流斜板沉淀池 1. 设计所采用的数据 ① 由于斜板沉淀池在絮凝池之后,经过加药处理,故负荷较高,取 q=3.0mm/s ② 斜板有效系数 η取 0.8 ,η=0.6~0.8 ③ 斜板水平倾角 θ=60° ④ 斜板斜长 L=1.2m ⑤ 斜板净板距 P=0.05m P 一般取 50~150mm ⑥ 颗粒沉降速度 μ=0.4mm/s=0.0004m/s 2. 沉淀池面积 式中 Q——进水流量, m3/d q ——容积负荷, mm/s 3.斜板面积 η 需要斜板实际总面积为 4.斜板高度 ° 5.沉淀池长宽 设斜板间隔数为 N=130个 则斜板部分长度为 ° 斜板部分位于沉淀池中间,斜板底部左边距池边距离 l 2=0.1m,斜板底部右边距池边距 离 l 3=0.8m,则池长 L=7.5+0

氟碳驱菌涂料用于斜板(管)沉淀池中的实验研究 氟碳驱菌涂料用于斜板(管)沉淀池中的实验研究

氟碳驱菌涂料用于斜板(管)沉淀池中的实验研究

格式:pdf

大小:27KB

页数: 3页

论证了氟碳材料在斜板(管)沉淀池当中应用的可行性,将氟碳涂料涂到斜板(管)上,利用氟碳涂料具有很低的表面能而对细菌具有驱赶作用,来解决斜板(管)沉淀池中由于结生物膜而带来的问题;提出可以将氟碳材料加入到斜板(管)的制作材料当中,来减小微生物对斜板(管)的附着作用。并在污水处理系统的曝气池中进行了挂板实验,实验证明生活污水处理可以用涂氟碳材料的斜板(管)沉淀池,以提高斜板(管)沉淀池的效率。

环保斜板填料简介

产品简介:

环保斜板填料材质有聚丙烯(PP)聚氯乙烯(PVC)和玻璃钢(FRP)三种。组装形式的斜管和直管两种形式。环保斜板填料主要用于各种沉淀和除砂作用。它适用范围广,处理效果高,占地面积小等优点。适用于进水口除砂,一般工业和生活给水沉淀、污水沉淀、隔油以及尾张浓缩等处理,即适用于新建工程,又适用于现有旧池的改造,均能取得良好的经济效益。

产品特点:

1. 湿周大,水力半径小。

2. 层流状态好,颗粒沉降不受絮流干扰。

3. 当环保斜板填料管长为1米时,有效负荷按3-5吨/米2·时设计。V0控制在2.5-3.0毫米/秒范围内,出水水质最佳。

4. 在取水口处采用蜂窝斜管,管长2.0~3.0米时,可在50-100公斤/米3泥砂含量的高浊度中安全运行处理。

5. 采用环保斜板填料沉淀池,其处理能力是平流式沉淀池的3-5倍,加速澄清池和脉冲澄清池的2-3倍。

产品规格:

Φ25mm、Φ35m、Φ50mm、Φ80mm

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色淀颜料简介

色淀颜料一般用含磺酸基或羟酸基的酸性染料与氯化钡(BaCl2)或氯化钙(CaCl2)反应使其沉淀。在此,大多数采用BaCl2,因为CaCl2形成的色淀颜色往往比BaCl2形成的色淀色光偏蓝些。

色淀颜料主要有:立索尔大红、立索尔紫红2R和金光红C等。2100433B

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化学汽相淀积工艺正文

用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程,类似于汽相外延工艺(见外延生长)。60年代,随着集成电路平面技术的发展,化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积,称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期,低压化学汽相淀积工艺取得显著进展,在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时,等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。

化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜(如多晶硅、非晶硅)或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀,可形成各种电路图案,与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下:

SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2

SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2

SiH4+2O2─→SiO2+2H2O

3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2

3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2

SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→

SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O

化学汽相淀积工艺还可用于其他方面,如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb3Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO2·xGeO2),以及装饰性薄膜氮化钛等。

3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl

4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO

与物理汽相淀积薄膜工艺(如蒸发、溅射、离子镀等)相比,化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点,化学汽相淀积工艺,也可用于制造体材料,例如,高纯三氯硅烷用氢还原,在加热的硅棒上不断淀积出硅,使硅棒变粗,形成棒状高纯硅锭,成为制备半导体硅单晶的原料。

常压化学汽相淀积 图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置,感应受热基座通常用石墨制成,在基座上放置片状的衬底。例如,以单晶硅片为衬底,在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。

低压化学汽相淀积 图2是低压化学汽相淀积装置原理,采用管式电阻炉加热,在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压(约50帕)下工作,气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上,扩散过程加快,片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100~200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中,可淀积多种薄膜,应用很广。

等离子化学汽相淀积 利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电,形成非平衡等离子体,其中能量较高的电子撞击反应气体分子,促使反应在较低温度下进行,淀积成薄膜(图3)。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层,以提高器件可靠性和稳定性。

参考书目

Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960~1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.

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