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半导体二极管

半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。

半导体二极管基本信息

半导体二极管主要参数

二极管

★最大整流电流IF:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流。

★最高反向工作电压UR:指二极管正常使用允许加的最高反向电压。

稳压管:稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。

稳压管

★稳定电压UZ:UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。

★额定功耗PZM:PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。

★动态电阻rZ:rZ为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即 。rZ愈小,电流变化时UZ的变化愈小,稳压性能愈好。

★温度系数 : 表示温度每变化1°C稳压值的变化量,即 = 。

限流电阻:稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。

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半导体二极管造价信息

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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 10A 2000V
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二极管

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  • 正泰电气股份有限公司
  • 2025-07-22
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二极管

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  • 正泰电气股份有限公司
  • 2025-07-22
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 100A 1000V
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  • 正泰电气股份有限公司
  • 2025-07-22
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二极管

  • ZP(2CZ) 螺旋式 5A 600V
  • 13%
  • 宁夏西北正泰电气有限公司
  • 2025-07-22
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半导体量子阱日光灯

  • DLZ-012(12W/220V)
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半导体量子阱日光灯

  • DLZ-012(12W/220V)
  • 珠海市2008年3月信息价
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发光二极管灯芯片

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  • 珠海市2015年7月信息价
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发光二极管灯芯片

  • LBD全红
  • 珠海市2015年7月信息价
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发光二极管灯芯片

  • LBD全黄
  • 珠海市2015年7月信息价
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LED发光二极管

  • 发光二极管
  • 1100
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  • 恒锐
  • 中档
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  • 2015-03-29
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LED发光二极管

  • LED发光二极管
  • 6440
  • 1
  • 恒锐
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2015-10-29
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防反二极管

  • MDK2-55-16
  • 128
  • 1
  • 无锡星火电器
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-04-17
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发光二极管

  • 5050SMD LED Strip 冷白光
  • 6616
  • 4
  • 启明
  • 中档
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  • 2015-12-26
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发光二极管

  • 型号 F5 材料 硅(Si) 发光颜色 红色L最高反向电压 3.0-3.2(V)
  • 4007
  • 4
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2015-12-10
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半导体二极管其它类型

★发光二极管

发光二极管具有单向导电性。只有当外加的正向电压使得正向电流足够大时才发光,正向电流愈大,发光愈强。

★光电二极管

光电二极管是远红外线接收管,是一种光能与电能进行转换的器件。

光电二极管的工作原理:它是利用PN结外加反向电压时,在光线照射下,改变反向电流和反向电阻,当没有光照射时,反向电流很小,反向电阻很大;当有光照射时,反向电阻减小,反向电流加大。

暗电流:光电二极管在无光照射时的反向电流称为暗电流。

明电流:有光照射时的电流称为明电流。

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半导体二极管性能

半导体二极管

二极管的伏安特性 阳极:由P区引出的电极为阳极。

阴极:由N区引出的电极为阴极。

点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。

面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路。

平面型二极管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。

开启电压Uon :使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。

反向电流:当二极管所加反向电压的数值足够大时,产生反向电流为IS。

在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下。如图所示。

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C,反向电流约增大一倍。

结论:二极管对温度很敏感。

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半导体二极管常见问题

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半导体二极管分类特征

按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。

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半导体二极管识别方法

a、目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.

b、用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.

c、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结" 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。

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半导体二极管参数符号

半导体二极管参数符号解释

CT---势垒电容

Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流 管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流

IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR(AV)---反向平均电流

IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数;电容比

Q---优值(品质因素)

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT(AV)---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

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噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作 噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作

噶米晶体二极管的分类根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作

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晶体二极管的分类 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠 PN结而工作的。与 PN结不可分割的点接触型和 肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。 包括这两种型号在内, 根据 PN结构造面的特点, 把晶体二极管分类如下: 1 、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电 流法而形成的。因此,其 PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点 接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单, 所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范 围较广的类型。 2 、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于 点接触型二极管和合金型二极管之间。 与点接触型相比较, 虽然键型二极管的 PN结电容量

半导体发光二极管(PPT课件) 半导体发光二极管(PPT课件)

半导体发光二极管(PPT课件)

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半导体发光二极管(PPT课件)

半导体激光二极管简介

20世纪80年代中期以来,半导体制造技术的发展以及与激光技术的结合,催生了半导体激光二极管,这类兼具半导体和激光器特性的激光源,具有更高的峰值功率和较低的能耗,且它的发射脉宽也较窄,本身不需要温度和光学补偿,比传统的发射光源具有明显的优势,并成为中紫外波段AlGaN发展的重点方向。因为该波段紫外辐射的激发效率最高,其输出效率也比较高。

为了使紫外线辐射源更为实用化,半导体紫外二极管发展的一个方向是大幅缩小现有紫外激光器及其电源的体积和功耗,另一个方向是开发发射波长为280nm、功耗小于10mW的发光二极管以及发射波长为340nm、功耗小于25mW的激光二极管。

半导体激光二极管以其体积小,重量轻,价格低,寿命长,耗电少及频率可快速调谐等优点,已经在国民经济和一系列高科技领域获得了广泛应用。然而,此种激光器的工作波长与其工作温度、注入电流之间有着强烈的依赖关系,例如,对近红外线半导体激光二极管,工作温度引起的变化约为013nm/K,注入电流引起的变化约为0103nm/mA。同时,工作温度和注入电流的变化还会导致半导体激光二极管输出功率的不稳定。

对于某些高科技领域应用,例如近些年发展起来的相干光纤通讯,对作为发送光源和外差检测的本振光源所用的半导体激光器的频率稳定性有很高的要求,同时,还要求其输出频率可调。又如,在极受重视的激光探潜和大量的激光光谱和原子分子物理研究中,都要求半导体激光器的频率非常稳定。因此,对半导体激光二极管的注入电流和工作温度的精密控制,并在此基础上对激光器的输出频率进行锁定稳频的技术研究就成为非常必要的。

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半导体泵浦固体激光激光二极管

激光二极管是一种激光产生器,其工作物质是半导体,属于固体激光产生器,大部分激光二极管在结讲上与一般二极管相似。由于激光二极管的运作中,电子的能量转变过程只涉及两个能阶,没有间接带隙造成的能量损失,所以效率相对高。能发光的半导体电子元件,透过三价与五价元素所组成的复合光源。此种电子元件早在1962年出现,早期只能够发出低光度的红光,被惠普买下专利后当作指示灯利用。及后发展出其他单色光的版本,时至今日,能够发出的光已经遍及可见光、红外线及紫外线,光度亦提高到相当高的程度。用途由初时的指示灯及显示板等;随着白光发光二极管的出现,近年逐渐发展至被普遍用作照明用途。

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半导体发光二极管灯发光原理

半导体发光二极管灯是利用半导体二极管的原理做成的灯,可以把电能转化成光能;常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。

发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算:

R=(E-UF)/IF

式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的一般工作电流。发光二极管的两根引线中较长的一根为正极,应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长,但管壳上有一凸起的小舌,靠近小舌的引线是正极。

与小白炽灯泡和氖灯相比,发光二极管的特点是:工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点,发光二极管在一些光电控制设备中用作光源,在许多电子设备中用作信号显示器。把它的管心做成条状,用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管,每个数码管可显示0~9十个数目字。

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。

发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。 当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。

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