晶闸管作为脉冲功率开关器件时,其短时导通电流往往数倍于它的通态平均电流,短时积聚的损耗会使晶闸管结区累积大量热量,造成其结温瞬间陡升,试验表明极易使得晶闸管因结区过温而击穿。因此如何优化设计晶闸管脉冲功率开关阀体结构、最大限度快速散热、降低结区温升,具有重要意义。介绍了基于ABB的5STP 52U5200型晶闸管所构建的脉冲功率开关阀体结构及其柯尔热阻抗模型,并利用Matlab的SimuLink构建脉冲功率开关阀体的热网络仿真模型,获取晶闸管耗散功率与其最高结温、晶闸管耗散功率与其壳温的可视化关系曲线,归纳了脉冲功率开关导电极的热阻与热容对晶闸管最高结温的影响规律,为晶闸管脉冲功率开关阀体结构的优化设计提供了依据,并得到了试验验证。

MOS 管的构造及 MOS 管种类和结构 随着社会的进步和发展， MOS 管在电子行业的应用越来越广泛，萨科微电子 SLKOR 作为能够研发生产碳化硅 SiC 产品的“碳化硅专家”，必须来科普一下这方面的知 识。 MOS 即 MOSFET 的简写，全称是金属氧化物场效应晶体管。 就是利用输入回路的电场效 应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 MOS 管的构造、原理、特性、符号规则和封 装种类等，大致如下。 1、MOS 管的构造： MOS 管的构造是在一块掺杂浓度较低的 P 型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺 制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极 D 和源极 S。然 后在漏极和源极之间的 P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（ Si02）绝缘层膜，在再 这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极 G。这就构成了一个 N 沟道（NPN 型）增强 型 MOS 管