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DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM",翻译成中文就是"动态随机存储器"。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量。
所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。
电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而"空"的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷,所以内存需要不断定时刷新,才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电--当然这个电流是有一定限制的,否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间,虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短,只有大约0.2-0.18微秒,但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
DRAM制造商的一些资料中显示,内存至少要每64ms刷新一次,这也就意味着内存有1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题,而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变--所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写操作,因为读取操作也会破坏内存中的电荷,也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次,每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期,当然潜伏期也就越长。 SRAM,静态(Static)RAM不存在刷新的问题,一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据,而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态--同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的,所以SRAM不存在刷新的问题。
SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上,而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据,而DRAM却需要3到9个时钟周期(这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间)。
第一,DRAM Timing selectable [by spd]
是关于电脑BIOS设置的,BIOS是英文"BasicInputOutputSystem"的缩略语,直译过来后中文名称就是"基本输入输出系统"。它的全称应该是ROM-BIOS,意思是只读存储器基本输入输...
课程编号: 英文名:ThePrincipleofComputerOrganization 课程类别:学科基础课 前置课:《数字逻辑》、《汇编语言程序设计》 后置课:《计算机系统结构...
就是很多个IGBT集成在一起
袖珍计算机PCPB型系统RAM扩展模块常见故障与维修
袖珍计算机PCPB型系统RAM扩展模块常见故障与维修
开关模块的基本原理是由继电器输出控制电源的开关,从而控制光源。
输入模块的基本原理是接受无源接点信号
用于连接照度探测、存在探测、移动探测等传感器
窗体模块(文件扩展名为 .FRM )是大多数 Visual Basic 应用程序的基础。窗体模块可以包含处理事件的过程、通用过程以及变量、常数、类型和外部过程的窗体级声明。如果要在文本编辑器中观察窗体模块,则还会看到窗体及其控件的描述,包括它们的属性设置值。写入窗体模块的代码是该窗体所属的具体应用程序专用的;它也可以引用该应用程序内的其它窗体或对象。
标准模块(文件扩展名为 .BAS)是应用程序内其它模块访问的过程和声明的容器。它们可以包含变量、常数、类型、外部过程和全局过程的全局(在整个应用程序范围内有效的)声明或模块级声明。写入标准模块的代码不必绑在特定的应用程序上;如果不小心用名称引用窗体和控件,则在许多不同的应用程序中可以重用标准模块。
在 Visual Basic 中类模块(文件扩展名为 .CLS)是面向对象编程的基础。可在类模块中编写代码建立新对象。这些新对象可以包含自定义的属性和方法。实际上,窗体正是这样一种类模块,在其上可安放控件、可显示窗体窗口。
电源主线进入模块接线槽,在接线槽内盒发热板进行相互连接。各模块之间和主线进行连接,主线通过接线槽,每个支线都会产生一个接头,这种情况下地下的接头数量会比较多。
600*1200mm采用采暖模块板采暖,制热面积有600*1100mm,基本上每个模块之间有100mm的冷去间距。并且每块模块之间还存在一定的安装缝隙,这就直接导致了地面制热不均匀。
碳晶地暖木块系统的电路以及所有的接头系统都在地下,并且连接接头数量比较多,使用出现故障以后,在检修方面就存在一定的问题。无法直接探测到问题的所在点,维修时损伤面积过大。